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ddr5 dram 文章 最新資訊

中國(guó)CXMT和YMTC推動(dòng)DRAM和NAND生產(chǎn)

  • 中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技 （CXMT） 和長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技 （YMTC） 正在加強(qiáng)其在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來(lái)，中國(guó)內(nèi)存開(kāi)始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場(chǎng)中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開(kāi)始，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求和政府補(bǔ)貼的推動(dòng)下，中國(guó)內(nèi)存正在提高其競(jìng)爭(zhēng)力。此外，它還對(duì)高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線(xiàn)提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
  • 關(guān)鍵字： CXMT  YMTC  DRAM  NAND  

DDR4退場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)CPU面臨小考

  • DDR4 漲瘋了。自 5 月初開(kāi)始，DDR4 持續(xù)漲價(jià)。熱門(mén)料號(hào)如 DDR4 16Gb 3200MHz 價(jià)格由 5 月 6 日當(dāng)周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元，漲幅超過(guò) 160%。甚至，相同內(nèi)存條件下，DDR4 的價(jià)格比 DDR5 更貴，形成了少見(jiàn)的「價(jià)格倒掛」現(xiàn)象。業(yè)內(nèi)人士評(píng)價(jià)：「從來(lái)沒(méi)見(jiàn)過(guò)，即將停產(chǎn)的 DDR 內(nèi)存芯片在停產(chǎn)時(shí)，價(jià)格飆得如此之高?！棺鳛榕c CPU 直接交互的存儲(chǔ)介質(zhì)，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率隨機(jī)存儲(chǔ)器）的技術(shù)規(guī)格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DDR5  

SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

  • 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國(guó)的 華爾街見(jiàn)聞 報(bào)道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢(shì)與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級(jí) DDR4 和移動(dòng) LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DRAM  存儲(chǔ)  

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力

  • 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國(guó)國(guó)家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場(chǎng)低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：盡管過(guò)去一周現(xiàn)貨價(jià)格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價(jià)格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片的現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DDR4  DRAM  

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4 模塊價(jià)格超過(guò) DDR5；關(guān)稅擔(dān)憂(yōu)可能引發(fā)恐慌性購(gòu)買(mǎi)

  • 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，DDR4 模塊的價(jià)格已經(jīng)超過(guò)了 DDR5 模塊的價(jià)格。展望未來(lái)，短期內(nèi)一個(gè)關(guān)鍵的關(guān)注點(diǎn)是新的美國(guó)關(guān)稅是否會(huì)被實(shí)施——這可能會(huì)引發(fā)又一波恐慌性購(gòu)買(mǎi)。至于 NAND 閃存，由于國(guó)家補(bǔ)貼驅(qū)動(dòng)的早期需求拉動(dòng)，618 購(gòu)物節(jié)對(duì) NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價(jià)格已超過(guò) DDR5 模塊價(jià)格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)  DDR4  DDR5  市場(chǎng)分析  

歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升，據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍，推動(dòng)南亞科技的庫(kù)存暴利

  • 上周，臺(tái)灣地區(qū)頂級(jí) DRAM 制造商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)，因?yàn)閮r(jià)格飆升?，F(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價(jià)格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫(kù)存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個(gè)趨勢(shì)力旗下的 DRAM 定價(jià)平臺(tái)。隨著三星、美光和中國(guó)芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報(bào)告稱(chēng)，南亞科技第一季度庫(kù)存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

  • 東京科學(xué)研究所在 IEEE電子元件和技術(shù)會(huì)議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進(jìn)展?！斑@些新技術(shù)可以幫助滿(mǎn)足高性能計(jì)算應(yīng)用的需求，這些應(yīng)用需要高內(nèi)存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結(jié)合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術(shù)，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開(kāi)發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實(shí)現(xiàn)了 10μm 的
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臺(tái)灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫(kù)存緊張

  • 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價(jià)格上漲，據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報(bào)價(jià)，這表明供應(yīng)緊張和需求增長(zhǎng)，據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說(shuō)，報(bào)價(jià)暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場(chǎng)，而在合同市場(chǎng)，供應(yīng)商正在囤積庫(kù)存并穩(wěn)步推高價(jià)格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買(mǎi)家在美國(guó)關(guān)稅變化前加速采購(gòu)，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比將上漲
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DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

  • 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場(chǎng)神秘買(mǎi)家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來(lái)報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過(guò)DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒(méi)看過(guò)現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大?！备鶕?jù)DRAM專(zhuān)業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DRAM  三星  美光  南亞科技  華邦電子  HBM  

英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國(guó)芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專(zhuān)利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開(kāi)發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專(zhuān)注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專(zhuān)利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  軟銀  HBM  DRAM  三星  SK海力士  

三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

  • 據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門(mén)（即DS設(shè)備解決方案部）正對(duì)系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長(zhǎng)鄭鉉鎬和DS部門(mén)負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽(tīng)取董事長(zhǎng)李在镕的意見(jiàn)。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門(mén)開(kāi)發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來(lái)Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門(mén)的利潤(rùn)空間，
  • 關(guān)鍵字： 三星  HBM  LSI  DRAM  半導(dǎo)體  晶圓代工  

DDR5上升趨勢(shì)放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來(lái)上漲后已達(dá)到相對(duì)較高的水平，購(gòu)買(mǎi)勢(shì)頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢(shì)最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器

  • Bourns 開(kāi)發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿(mǎn)足最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺(tái)式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶(hù)端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造，可實(shí)現(xiàn)低磁場(chǎng)輻射和納米晶磁芯，以支持高電
  • 關(guān)鍵字： DDR5  PMIC  屏蔽式功率電感器  

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價(jià) DDR5 逐步啟動(dòng)

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格相比 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買(mǎi)家放慢了詢(xún)價(jià)和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與合約市場(chǎng)的情況類(lèi)似，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格與 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格也繼續(xù)逐步上漲，因?yàn)槟K公司急于增加庫(kù)存。TrendForce 集邦咨詢(xún)相信，整體而言，現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè) 2Q25
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DDR4  DDR5  

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

  • 存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
  • 關(guān)鍵字： Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  
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ddr5 dram介紹

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